聚焦半導體介質可靠性｜表面電位衰減測試系統表征封裝材料電荷行為

功率半導體器件的柵極介質、環氧封裝材料，在電場作用下會捕獲空間電荷，陷阱電荷累積會造成器件閾值漂移、漏電流加大，影響器件長期可靠性。華測儀器表面電位衰減測試系統，面向半導體封裝介質，實現表面電荷動態衰減與陷阱能級定量解析。

系統高壓極化單元可完成試樣可控充電，溫控平臺模擬器件高溫工作環境；高速電位采集單元捕捉充電后電位衰減全過程，軟件自動解析陷阱密度、能級參數，直觀對比不同填料、不同工藝封裝材料的電荷存儲與脫陷特性，幫助研發人員定位電荷相關失效誘因。

銀 / 黃銅材質多規格電極可適配塊狀、片狀封裝試樣；整機集成化箱體設計，操作便捷，試驗數據可導出用于研發報告。設備既適用于實驗室新材料預研，也可用于封裝工藝優化對比，助力國產半導體封裝介質可靠性提升。